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HY1106S

N沟道,60V,11A,13mΩ@10V

制造商:
HUAYI(华羿微)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 HY1106S 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 11A(Tc)
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 15mΩ @ 11A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 3.5W(Tc)

库存:53,522

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.6554
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥0.6554 ¥0.6554
10+ ¥0.4759 ¥4.7590
30+ ¥0.4430 ¥13.2900
100+ ¥0.4100 ¥41.0000
500+ ¥0.3953 ¥197.6500
1,000+ ¥0.3881 ¥388.1000

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