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KNH9120A

N沟道,200V,40A

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KNH9120A 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 40A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 100mΩ @ 16A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 175W(Tc)

库存:55,133

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥4.7658
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥4.7658 ¥4.7658
10+ ¥3.5334 ¥35.3340
30+ ¥3.3150 ¥99.4500
100+ ¥3.0888 ¥308.8800
500+ ¥2.9874 ¥1,493.7000
1,000+ ¥2.9328 ¥2,932.8000

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