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数据手册 | 4N100L-TF1-T 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 1000V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 4A |
栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 3.5Ω @ 2A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 38W |
库存:56,272
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥3.0966
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥3.0966 | ¥3.0966 |
10+ | ¥2.2776 | ¥22.7760 |
30+ | ¥2.1294 | ¥63.8820 |
100+ | ¥1.9812 | ¥198.1200 |
500+ | ¥1.9110 | ¥955.5000 |
1,000+ | ¥1.8798 | ¥1,879.8000 |
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