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CS6N60A3D

N沟道,600V,6A,1Ω@10V

制造商:
华润华晶
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 CS6N60A3D 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 6A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 1.3Ω @ 3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 95W(Tc)

库存:54,892

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.3875
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.3875 ¥1.3875
10+ ¥1.0367 ¥10.3670
30+ ¥0.9723 ¥29.1690
100+ ¥0.9078 ¥90.7800
500+ ¥0.8792 ¥439.6000
1,000+ ¥0.8650 ¥865.0000

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