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数据手册 | 4N65KL-TF1-T 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 4A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 2.5Ω @ 2A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 36W(Tc) |
库存:53,564
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥1.0425
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥1.0425 | ¥1.0425 |
10+ | ¥0.7697 | ¥7.6970 |
30+ | ¥0.7196 | ¥21.5880 |
100+ | ¥0.6694 | ¥66.9400 |
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