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数据手册 | WFD5N65L 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 5A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 2.7Ω @ 2A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 77W(Tc) |
库存:51,628
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥0.8843
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥0.8843 | ¥0.8843 |
10+ | ¥0.6582 | ¥6.5820 |
30+ | ¥0.6167 | ¥18.5010 |
100+ | ¥0.5751 | ¥57.5100 |
500+ | ¥0.5567 | ¥278.3500 |
1,000+ | ¥0.5476 | ¥547.6000 |
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