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HY12P03S

P沟道 -30V -12A ,11.5mΩ导通电阻

制造商:
HUAYI(华羿微)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 HY12P03S 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 12A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 15mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 3.1W

库存:57,255

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.5535
数量 单价(含税) 总计
5+ ¥0.5535 ¥2.7675
50+ ¥0.4075 ¥20.3750
150+ ¥0.3807 ¥57.1050
500+ ¥0.3538 ¥176.9000
2,500+ ¥0.3419 ¥854.7500
5,000+ ¥0.3360 ¥1,680.0000

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