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| 数据手册 | KI8205T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | 双N沟道(共漏) |
| 漏源电压（Vdss） | -20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.3A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 46mΩ @ 3.4A,2.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.25W |
库存：58,338
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.1771
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥0.1771 | ￥1.7710 |
| 100+ | ￥0.1303 | ￥13.0300 |
| 300+ | ￥0.1217 | ￥36.5100 |
| 1,000+ | ￥0.1131 | ￥113.1000 |
| 5,000+ | ￥0.1093 | ￥546.5000 |
| 10,000+ | ￥0.1074 | ￥1,074.0000 |
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