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HY1904D

N沟道 40V 72A,4.8mΩ导通电阻

制造商:
HUAYI(华羿微)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 HY1904D 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 72A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 6mΩ @ 36A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 62.5W

库存:51,437

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.8873
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥0.8873 ¥0.8873
10+ ¥0.6573 ¥6.5730
30+ ¥0.6150 ¥18.4500
100+ ¥0.5728 ¥57.2800
500+ ¥0.5540 ¥277.0000
1,000+ ¥0.5448 ¥544.8000

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