图像仅供参考 请参阅产品规格
HY3210P
N沟道MOSFET. VDS=100V, ID=120A,6.8mR,可替换IRF2807,IRF3710,IRF4410
- 制造商：
- HUAYI(华羿微)
- 产品类别
- MOS(场效应管)
- 无铅情况/RoHS：
- 否
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | HY3210P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 120A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 8.5mΩ @ 60A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 237W |
库存：57,746
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥2.3790
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥2.3790 | ￥2.3790 |
| 10+ | ￥1.7940 | ￥17.9400 |
| 30+ | ￥1.6848 | ￥50.5440 |
| 100+ | ￥1.5756 | ￥157.5600 |
| 500+ | ￥1.5288 | ￥764.4000 |
| 1,000+ | ￥1.5054 | ￥1,505.4000 |
申请更低价? 请联系客服
