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KND3308A

N沟道,80V,80A,6.2mΩ@10V

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KND3308A 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 80V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 80A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 9mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 120W(Tc)

库存:55,024

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.8252
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.8252 ¥1.8252
10+ ¥1.3728 ¥13.7280
30+ ¥1.2948 ¥38.8440
100+ ¥1.2090 ¥120.9000
500+ ¥1.1700 ¥585.0000
1,000+ ¥1.1544 ¥1,154.4000

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