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| 数据手册 | HY1210D 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 26A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 36mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 50W(Tc) |
库存：54,090
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1.0859
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1.0859 | ￥1.0859 |
| 10+ | ￥0.8220 | ￥8.2200 |
| 30+ | ￥0.7735 | ￥23.2050 |
| 100+ | ￥0.7250 | ￥72.5000 |
| 500+ | ￥0.7035 | ￥351.7500 |
| 1,000+ | ￥0.6929 | ￥692.9000 |
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