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HY4008P

N沟道80V/200A/2.9毫欧

制造商:
HUAYI(华羿微)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

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产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 80V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 200A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 3. 5mΩ @ 100A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 345W(Tc)

库存:54,839

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥3.6036
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥3.6036 ¥3.6036
10+ ¥2.6442 ¥26.4420
30+ ¥2.4726 ¥74.1780
100+ ¥2.2932 ¥229.3200
500+ ¥2.2152 ¥1,107.6000
1,000+ ¥2.1762 ¥2,176.2000

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