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| 数据手册 | WNM2020-3/TR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 830mA |
| 栅源极阈值电压 | 850mV @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 310mΩ @ 550mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 320mW |
库存：59,459
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.2273
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥0.2273 | ￥2.2730 |
| 100+ | ￥0.1724 | ￥17.2400 |
| 300+ | ￥0.1623 | ￥48.6900 |
| 1,000+ | ￥0.1522 | ￥152.2000 |
| 5,000+ | ￥0.1477 | ￥738.5000 |
| 10,000+ | ￥0.1455 | ￥1,455.0000 |
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