A2T21S161W12SR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 38 W Avg., 28 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 否
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | A2T21S161W12SR3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-780S-2 |
| 增益 | 19.1 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 38 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 500 mV, 65 V |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
库存：50,960
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 250
- 参考单价：
- ￥353.1241
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 250+ | ￥353.1241 | ￥88,281.0250 |
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