PD85025TR-E
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | PD85025TR-E 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PowerSO-10RF-Formed-4 |
| 增益 | 15.7 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 25 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
库存：51,062
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥177.3994
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥177.3994 | ￥177.3994 |
| 10+ | ￥163.6407 | ￥1,636.4070 |
| 25+ | ￥156.2722 | ￥3,906.8050 |
| 100+ | ￥139.1025 | ￥13,910.2500 |
| 250+ | ￥131.7957 | ￥32,948.9250 |
| 600+ | ￥124.4184 | ￥74,651.0400 |
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