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    MRF6V12250HR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H

    制造商:
    NXP Semiconductors
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 NI-780
    增益 20.3 dB
    技术 SI
    输出功率 27.5 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 110 V

    库存:54,484

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥1,561.2679
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥1,561.2679 ¥1,561.2679
    5+ ¥1,545.1559 ¥7,725.7795
    10+ ¥1,495.3392 ¥14,953.3920
    25+ ¥1,460.3300 ¥36,508.2500
    50+ ¥1,401.0294 ¥70,051.4700

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