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QPD1020SR
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | QPD1020SR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 封装 / 箱体 | DFN-8 |
| 增益 | 18.4 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 31 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
库存：50,053
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥496.3163
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥496.3163 | ￥496.3163 |
| 25+ | ￥438.5670 | ￥10,964.1750 |
| 100+ | ￥387.5163 | ￥38,751.6300 |
| 200+ | ￥364.2738 | ￥72,854.7600 |
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