TGF2080
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56%
- 制造商:
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | TGF2080 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Gel Pack |
最小工作温度 | - 65 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | Die |
增益 | 11.5 dB |
技术 | GaAs |
Pd-功率耗散 | 4.2 W |
Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
Id-连续漏极电流 | 259 mA |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 7 V |
晶体管类型 | pHEMT |
最大漏极/栅极电压 | - 12 V |
库存:54,029
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 100
- 参考单价:
- ¥60.3495
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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100+ | ¥60.3495 | ¥6,034.9500 |
300+ | ¥56.3832 | ¥16,914.9600 |
500+ | ¥52.7342 | ¥26,367.1000 |
1,000+ | ¥49.2614 | ¥49,261.4000 |
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