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    CGHV27030S

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

    制造商:
    Wolfspeed / Cree
    产品类别
    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 DFN-12
    增益 21 dB
    技术 GaN
    输出功率 30 W
    Pd-功率耗散 12 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 150 V
    Id-连续漏极电流 3.6 A
    Vgs-栅源极击穿电压 - 10 V, 2 V
    晶体管类型 HEMT
    最大漏极/栅极电压 50 V

    库存:51,987

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥292.8980
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥292.8980 ¥292.8980
    250+ ¥292.8980 ¥73,224.5000

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