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    GTVA123501FA-V1-R0

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 350W

    制造商:
    Wolfspeed / Cree
    产品类别
    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 GTVA123501FA-V1-R0 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    安装风格 Flange Mount
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    封装 / 箱体 H-37265J-2
    增益 18 dB
    技术 GaN SiC
    输出功率 350 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 150 V
    Id-连续漏极电流 15 A
    Vgs-栅源极击穿电压 - 10 V to 2 V
    晶体管类型 HEMT

    库存:52,843

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥4,071.7948
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥4,071.7948 ¥4,071.7948
    50+ ¥4,071.7948 ¥203,589.7400

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