SD56060
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 无铅情况/RoHS：
- 否
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SD56060 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | Screw Mount |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 封装 / 箱体 | M246 |
| 输出功率 | 60 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
库存：56,114
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 60
- 参考单价：
- ￥759.2291
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 60+ | ￥759.2291 | ￥45,553.7460 |
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