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    PD54003-E

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Tube
    最小工作温度 - 65 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PowerSO-10RF-Formed-4
    增益 12 dB
    技术 SI
    输出功率 3 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 25 V
    Id-连续漏极电流 4 A

    库存:54,616

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥65.6819
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥65.6819 ¥65.6819
    10+ ¥60.3495 ¥603.4950
    25+ ¥57.8727 ¥1,446.8175
    100+ ¥50.0635 ¥5,006.3500
    250+ ¥48.4506 ¥12,112.6500
    500+ ¥45.3568 ¥22,678.4000
    1,000+ ¥42.1309 ¥42,130.9000

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