MRFX600GSR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRFX600GSR5 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-780GS-4L |
| 增益 | 26.4 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 600 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 193 V |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
库存：59,480
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥824.9640
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥824.9640 | ￥824.9640 |
| 5+ | ￥822.0553 | ￥4,110.2765 |
| 10+ | ￥785.9356 | ￥7,859.3560 |
| 25+ | ￥769.1361 | ￥19,228.4025 |
| 50+ | ￥758.8501 | ￥37,942.5050 |
| 100+ | ￥730.1694 | ￥73,016.9400 |
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