MRF8P20140WHSR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4
- 制造商:
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | MRF8P20140WHSR3 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | NI-780S-4 |
增益 | 16 dB |
技术 | SI |
输出功率 | 24 W |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
库存:59,523
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 250
- 参考单价:
- ¥616.0898
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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250+ | ¥616.0898 | ¥154,022.4500 |
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