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AGR19090EF

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 36Watt Gain 15dB

制造商:
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

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数据手册 AGR19090EF 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
封装 Tray
技术 SI

库存:56,711

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥605.6805
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥605.6805 ¥605.6805
5+ ¥555.8020 ¥2,779.0100
10+ ¥498.8019 ¥4,988.0190
25+ ¥441.7929 ¥11,044.8225
50+ ¥399.0362 ¥19,951.8100
100+ ¥384.7840 ¥38,478.4000

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