TGF3015-SM
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | TGF3015-SM 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装 / 箱体 | QFN-EP-16 |
| 增益 | 17.1 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 11 W |
| Pd-功率耗散 | 15.3 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 32 V |
| Id-连续漏极电流 | 557 mA |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 2.7 V |
| 晶体管类型 | HEMT |
库存：52,558
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥359.3820
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥359.3820 | ￥359.3820 |
| 25+ | ￥316.0083 | ￥7,900.2075 |
| 100+ | ￥278.8309 | ￥27,883.0900 |
| 250+ | ￥254.0459 | ￥63,511.4750 |
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