QPD1003
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | QPD1003 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 封装 / 箱体 | RF-565 |
| 增益 | 19.9 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 540 W |
| Pd-功率耗散 | 370 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 145 V |
| 晶体管类型 | HEMT |
库存：52,883
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3,792.1001
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3,792.1001 | ￥3,792.1001 |
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