GTVA261701FA-V1-R0
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
- 制造商：
- Wolfspeed / Cree
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | GTVA261701FA-V1-R0 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最大工作温度 | + 225 C |
| 封装 / 箱体 | H-37265J-2 |
| 增益 | 17 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 170 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| 晶体管类型 | HEMT |
库存：59,270
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 50
- 参考单价：
- ￥605.6805
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 50+ | ￥605.6805 | ￥30,284.0250 |
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