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| 数据手册 | IXFR102N30P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 36 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 224 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,248
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥76.1530
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥76.1530 | ￥2,284.5900 |
| 60+ | ￥70.0801 | ￥4,204.8060 |
| 120+ | ￥68.4055 | ￥8,208.6600 |
| 270+ | ￥62.7028 | ￥16,929.7560 |
| 510+ | ￥56.8856 | ￥29,011.6560 |
| 1,020+ | ￥51.9233 | ￥52,961.7660 |
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