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数据手册 | SIDR680DP-T1-GE3 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | PowerPAK-SO-8DC-8 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | TrenchFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 125 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 7.5 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 3.4 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
Qg-栅极电荷 | 69.5 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:59,913
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥18.0951
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥18.0951 | ¥18.0951 |
10+ | ¥15.6184 | ¥156.1840 |
100+ | ¥12.2691 | ¥1,226.9100 |
500+ | ¥10.4093 | ¥5,204.6500 |
3,000+ | ¥7.7475 | ¥23,242.5000 |
6,000+ | ¥7.5007 | ¥45,004.2000 |
9,000+ | ¥7.1834 | ¥64,650.6000 |
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