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| 数据手册 | IXTP80N12T2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB-3 |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 325 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 17 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
库存：55,022
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥15.8652
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥15.8652 | ￥15.8652 |
| 10+ | ￥14.3756 | ￥143.7560 |
| 25+ | ￥12.5159 | ￥312.8975 |
| 50+ | ￥11.7138 | ￥585.6900 |
| 100+ | ￥11.5287 | ￥1,152.8700 |
| 250+ | ￥9.3605 | ￥2,340.1250 |
| 500+ | ￥8.9815 | ￥4,490.7500 |
| 1,000+ | ￥7.4390 | ￥7,439.0000 |
| 2,500+ | ￥6.2579 | ￥15,644.7500 |
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