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数据手册 | IFN5196 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | JFET |
安装风格 | Through Hole |
系列 | IFN519 |
封装 | Bulk |
封装 / 箱体 | TO-71-6 |
技术 | SI |
配置 | Dual |
Pd-功率耗散 | 250 mW |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Id-连续漏极电流 | - 200 uA |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 50 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 7 mA |
库存:54,051
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 67
- 参考单价:
- ¥85.6897
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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67+ | ¥85.6897 | ¥5,741.2099 |
100+ | ¥78.8148 | ¥7,881.4800 |
250+ | ¥71.8782 | ¥17,969.5500 |
500+ | ¥67.1715 | ¥33,585.7500 |
1,000+ | ¥61.6539 | ¥61,653.9000 |
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