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数据手册 | IFN5564 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | JFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装 / 箱体 | TO-71-6 |
技术 | SI |
配置 | Dual |
Pd-功率耗散 | 650 mW |
晶体管极性 | N-Channel |
Rds On-漏源导通电阻 | 100 Ohms |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 30 mA |
库存:52,939
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥141.5264
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥141.5264 | ¥141.5264 |
10+ | ¥120.3287 | ¥1,203.2870 |
100+ | ¥111.7791 | ¥11,177.9100 |
250+ | ¥102.5509 | ¥25,637.7250 |
500+ | ¥97.5886 | ¥48,794.3000 |
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