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数据手册 | IFN147 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | JFET |
安装风格 | Through Hole |
系列 | IFN14 |
封装 | Bulk |
封装 / 箱体 | TO-18-3 |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 300 mW |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
Id-连续漏极电流 | 1 uA |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 30 mA |
库存:55,399
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥101.5549
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥101.5549 | ¥101.5549 |
10+ | ¥85.3812 | ¥853.8120 |
100+ | ¥78.5680 | ¥7,856.8000 |
250+ | ¥71.6314 | ¥17,907.8500 |
500+ | ¥66.9776 | ¥33,488.8000 |
1,000+ | ¥61.4688 | ¥61,468.8000 |
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