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| 数据手册 | IFN860 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | JFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IFN860 |
| 封装 | Bulk |
| 封装 / 箱体 | TO-71-6 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 400 mW |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
| Id-连续漏极电流 | 100 uA |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 10 mA |
库存：51,487
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥145.2988
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥145.2988 | ￥145.2988 |
| 10+ | ￥123.5547 | ￥1,235.5470 |
| 100+ | ￥114.7583 | ￥11,475.8300 |
| 250+ | ￥105.2744 | ￥26,318.6000 |
| 500+ | ￥100.1976 | ￥50,098.8000 |
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