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数据手册 | IFN5912 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | JFET |
安装风格 | Through Hole |
系列 | IFN591 |
封装 | Bulk |
封装 / 箱体 | TO-78-8 |
技术 | SI |
配置 | Dual |
Pd-功率耗散 | 500 mW (1/2 W) |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
Id-连续漏极电流 | 5 mA |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 25 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 40 mA |
库存:55,743
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥145.1137
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥145.1137 | ¥145.1137 |
10+ | ¥123.4313 | ¥1,234.3130 |
100+ | ¥114.6349 | ¥11,463.4900 |
250+ | ¥105.1510 | ¥26,287.7500 |
500+ | ¥100.0653 | ¥50,032.6500 |
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