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数据手册 | IFN411 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | JFET |
安装风格 | Through Hole |
系列 | IFN411 |
封装 | Bulk |
封装 / 箱体 | TO-71-6 |
技术 | SI |
配置 | Dual |
Pd-功率耗散 | 375 mW |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Id-连续漏极电流 | 200 uA |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 5 mA |
库存:51,410
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥60.2878
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥60.2878 | ¥60.2878 |
10+ | ¥49.4465 | ¥494.4650 |
100+ | ¥41.0204 | ¥4,102.0400 |
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