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| 数据手册 | HGT1S20N60C3S9A 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | HGT1S20N60C3S |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263AB-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 164 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.4 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 45 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：58,396
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 800
- 参考单价：
- ￥12.3925
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 800+ | ￥12.3925 | ￥9,914.0000 |
| 2,400+ | ￥12.0223 | ￥28,853.5200 |
| 4,800+ | ￥11.2731 | ￥54,110.8800 |
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