图像仅供参考 请参阅产品规格

    HGTG30N60C3D

    IGBT 晶体管 63a 600V NCh IGBT Hyperfast anti-para

    制造商:
    ON Semiconductor / Fairchild
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 HGTG30N60C3D 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    系列 HGTG30N60C3D
    封装 Tube
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 208 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V
    集电极—射极饱和电压 1.5 V
    在25 C的连续集电极电流 63 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:51,775

    交货地:
    国内
    最小包装:
    450
    参考单价:
    ¥31.0429
    数量 单价(含税) 总计
    450+ ¥31.0429 ¥13,969.3050
    900+ ¥29.1215 ¥26,209.3500
    1,350+ ¥27.7553 ¥37,469.6550

    申请更低价? 请联系客服

    新品资讯