STGWA30H60DFB
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 否
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | STGWA30H60DFB 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | STGWA30H60DFB |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 260 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.55 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 60 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：50,270
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 600
- 参考单价：
- ￥11.6521
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 600+ | ￥11.6521 | ￥6,991.2600 |
| 1,200+ | ￥10.0391 | ￥12,046.9200 |
| 3,000+ | ￥9.7307 | ￥29,192.1000 |
| 5,400+ | ￥9.3605 | ￥50,546.7000 |
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