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| 数据手册 | IXXK110N65B4H1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXXK110N65 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 880 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.75 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 240 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：51,843
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥68.0353
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥68.0353 | ￥68.0353 |
| 10+ | ￥62.5177 | ￥625.1770 |
| 25+ | ￥59.9176 | ￥1,497.9400 |
| 50+ | ￥57.9961 | ￥2,899.8050 |
| 100+ | ￥51.7999 | ￥5,179.9900 |
| 250+ | ￥50.1869 | ￥12,546.7250 |
| 500+ | ￥46.9698 | ￥23,484.9000 |
| 1,000+ | ￥43.0652 | ￥43,065.2000 |
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