RGTH00TS65DGC11
IGBT 晶体管 650V 50A IGBT Stop Trench
- 制造商:
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | RGTH00TS65DGC11 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 晶体管 |
安装风格 | Through Hole |
系列 | RGTH00TS65 |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
技术 | SI |
Pd-功率耗散 | 277 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
在25 C的连续集电极电流 | 85 A |
栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存:56,108
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥28.3811
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥28.3811 | ¥28.3811 |
10+ | ¥24.1680 | ¥241.6800 |
100+ | ¥20.9421 | ¥2,094.2100 |
250+ | ¥19.8932 | ¥4,973.3000 |
500+ | ¥17.8484 | ¥8,924.2000 |
1,000+ | ¥15.0543 | ¥15,054.3000 |
2,500+ | ¥14.3139 | ¥35,784.7500 |
5,000+ | ¥13.7587 | ¥68,793.5000 |
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