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    AFGB40T65SQDN

    IGBT 晶体管 650V/40A FS4 IGBT

    制造商:
    ON Semiconductor
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 AFGB40T65SQDN 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    资格 AEC-Q101
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-263-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 238 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
    集电极—射极饱和电压 1.6 V
    在25 C的连续集电极电流 80 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:51,163

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥24.5999
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥24.5999 ¥24.5999
    10+ ¥20.8804 ¥208.8040
    100+ ¥16.6673 ¥1,666.7300
    250+ ¥15.7418 ¥3,935.4500
    800+ ¥12.9478 ¥10,358.2400
    2,400+ ¥12.5159 ¥30,038.1600
    4,800+ ¥11.9606 ¥57,410.8800

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