STGW60H65DF
IGBT 晶体管 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | STGW60H65DF 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | STGW60H65DF |
| 封装 | Tube |
| 封装 / 箱体 | TO-247 |
| 技术 | SI |
| Pd-功率耗散 | 360 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 120 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：50,683
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥31.7833
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥31.7833 | ￥31.7833 |
| 10+ | ￥27.0149 | ￥270.1490 |
| 100+ | ￥21.6207 | ￥2,162.0700 |
| 250+ | ￥20.3868 | ￥5,096.7000 |
| 500+ | ￥19.2057 | ￥9,602.8500 |
| 1,000+ | ￥16.5439 | ￥16,543.9000 |
| 2,500+ | ￥16.0503 | ￥40,125.7500 |
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