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| 数据手册 | HGTG10N120BND 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | HGTG10N120BND |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 298 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.45 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 17 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：55,876
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥17.9100
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥17.9100 | ￥17.9100 |
| 10+ | ￥15.1777 | ￥151.7770 |
| 100+ | ￥12.1457 | ￥1,214.5700 |
| 250+ | ￥11.4670 | ￥2,866.7500 |
| 500+ | ￥10.7795 | ￥5,389.7500 |
| 1,000+ | ￥9.2283 | ￥9,228.3000 |
| 2,500+ | ￥8.9815 | ￥22,453.7500 |
| 5,000+ | ￥8.3028 | ￥41,514.0000 |
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