HGTG11N120CND
IGBT 晶体管 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | HGTG11N120CND 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 晶体管 |
安装风格 | Through Hole |
系列 | HGTG11N120CND |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 298 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
在25 C的连续集电极电流 | 43 A |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存:56,318
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥20.6953
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥20.6953 | ¥20.6953 |
10+ | ¥17.6016 | ¥176.0160 |
100+ | ¥14.0671 | ¥1,406.7100 |
250+ | ¥13.2563 | ¥3,314.0750 |
500+ | ¥12.5159 | ¥6,257.9500 |
1,000+ | ¥10.7178 | ¥10,717.8000 |
2,500+ | ¥10.3476 | ¥25,869.0000 |
5,000+ | ¥9.6073 | ¥48,036.5000 |
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