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    HGTG11N120CND

    IGBT 晶体管 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde

    制造商:
    ON Semiconductor / Fairchild
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 HGTG11N120CND 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    系列 HGTG11N120CND
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 298 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
    集电极—射极饱和电压 2.1 V
    在25 C的连续集电极电流 43 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:56,318

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥20.6953
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥20.6953 ¥20.6953
    10+ ¥17.6016 ¥176.0160
    100+ ¥14.0671 ¥1,406.7100
    250+ ¥13.2563 ¥3,314.0750
    500+ ¥12.5159 ¥6,257.9500
    1,000+ ¥10.7178 ¥10,717.8000
    2,500+ ¥10.3476 ¥25,869.0000
    5,000+ ¥9.6073 ¥48,036.5000

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