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STGFW80V60F
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | STGFW80V60F 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | STGFW80V60F |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PF |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 79 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.85 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 120 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：55,368
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥41.3288
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥41.3288 | ￥41.3288 |
| 10+ | ￥35.5645 | ￥355.6450 |
| 100+ | ￥29.4916 | ￥2,949.1600 |
| 250+ | ￥27.7553 | ￥6,938.8250 |
| 500+ | ￥26.0277 | ￥13,013.8500 |
| 1,000+ | ￥23.7978 | ￥23,797.8000 |
| 2,500+ | ￥23.0486 | ￥57,621.5000 |
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