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| 数据手册 | IXYP50N65C3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXYP50N65 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 600 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.74 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 130 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：54,585
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥36.6222
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥36.6222 | ￥36.6222 |
| 10+ | ￥32.8410 | ￥328.4100 |
| 25+ | ￥31.0429 | ￥776.0725 |
| 100+ | ￥24.8467 | ￥2,484.6700 |
| 250+ | ￥23.4805 | ￥5,870.1250 |
| 500+ | ￥21.8147 | ￥10,907.3500 |
| 1,000+ | ￥18.8972 | ￥18,897.2000 |
| 2,500+ | ￥18.6504 | ￥46,626.0000 |
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