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数据手册 | IXDR30N120D1 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 晶体管 |
安装风格 | Through Hole |
系列 | IXDR30N120 |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | ISOPLUS247-3 |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 200 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
集电极—射极饱和电压 | 2.4 V |
在25 C的连续集电极电流 | 50 A |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存:56,080
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥58.5514
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥58.5514 | ¥58.5514 |
10+ | ¥52.8576 | ¥528.5760 |
25+ | ¥50.3720 | ¥1,259.3000 |
50+ | ¥48.3272 | ¥2,416.3600 |
100+ | ¥47.7719 | ¥4,777.1900 |
250+ | ¥39.3457 | ¥9,836.4250 |
500+ | ¥36.8690 | ¥18,434.5000 |
1,000+ | ¥33.1495 | ¥33,149.5000 |
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